10月22日消息，中微公司今日宣布，其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机已顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。
该设备针对GAA、3D NAND、3D DRAM等下一代三维器件工艺需求开发，填补了国内在3D半导体制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
随着芯片架构从平面走向三维，高选择性刻蚀已成为决定器件能否造出来的核心工艺。在GAA晶体管和3D DRAM的制造中，需要在纳米尺度上精准去除特定材料，同时几乎不损伤相邻结构。
公开资料显示，Primo Domingo实现了大于700:1的SiGe/Si高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中展现出优异性能。
Primo Domingo的技术设计围绕均匀性与稳定性展开。设备采用全对称腔体结构与优化流场设计，集成气柜缩短了气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制。双制冷与双加热晶圆基座支持宽范围精准温控，高抗腐蚀管路与特殊涂层则保障了设备在高活性刻蚀气体环境下的长期可靠运行。
从公司整体布局看，中微的刻蚀设备已覆盖65纳米到3纳米及更先进工艺，介质刻蚀深宽比达60:1至90:1，硅刻蚀达140:1。
截至2026年6月底，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上量产。在国内刻蚀设备国产化率约31%的背景下，中微与北方华创合计拿下了国产市场约95%的份额。
Primo Domingo的付运，不只是多了一款设备，更意味着国产刻蚀设备在三维芯片最关键的一道工艺上，从能做走向了能用在产线上。
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